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勋章菊的繁殖方式

勋章菊的繁殖方式

勋章菊常用种子繁殖,可以使用分株与扦插。

播种繁殖
春.秋天播种皆可,.微微覆土,保湿要很好,约7~10天发芽分株.插芽的周期约是4或10月份,分株是将2~3芽分为一株.於初春进行定植,插芽则接每一芽插植於排水良好的土壤中。
冬季温室育苗,4月移植露地。同属植物约24种,常见观赏栽培的还有:羽叶勋章菊(Gazania pinnata)等。
春、秋天播种皆可,微微覆土(覆土是种子直径的两倍),保湿要很好,(可参考纸巾催芽法)约7~10天发芽分株.插芽的周期约是4或10月份,分株是将2~3芽分为一株.於初春进行定植,插芽则将每一芽插植於排水良好的土壤中。
当前国内作为盆栽花卉和花坛花卉生产的品种,主要通过引进进口F1代杂交种子进行播种繁殖,以保证品种表现出一致性和高效性。此外,勋章菊还可以通过分株和扦插的方法进行繁殖。
播种育苗春育苗从播种到开花需85天左右,每平方米苗床播种量15克左右。撒播,种子上面覆盖细土0.8厘米左右。控制地温18~21℃,播下种子3天出苗。有1对真叶时移苗,用直径8厘米左右的容器,或开沟按8厘米的株行距栽下种苗。苗期控制气温15~25℃,土壤水分控制适中,要充分见光。定植前5~7天降温,加大通风,适度控水炼苗。无霜后定植露地。

种子每克400至450粒,播种介质的pH值为5.8至6.0,播种后稍覆土,育苗分四个阶段。
第一阶段:主根展出,需要4至6天,介质保持偏干,用蛭石覆盖较好,以保持适当的湿度,介质温度维持在21℃至24℃,介质EC值在0.5至0.75较为适宜,发芽不需要光照。
第二阶段:发芽基本完成,主根开始伸展,达到2厘米左右,真叶开始展出,湿度不能太大,必须在表土干燥后再稍微补充部分水分,介质温度在18℃至20℃,用以钙为基础的复合肥料(14-2-14-6Ca-3Mg)按50ppm至75ppm的浓度施肥壮苗,介质EC值为0.75至1.0,如果采用加入营养启动剂的进口泥炭育苗,则此阶段不需要施肥。此阶段易弱光,每天14至16小时的长日照有利于壮苗。
第三阶段:主根已经较为发达,长度4至5厘米,幼苗已经有一片真叶发育完全,湿度控制的干湿变化周期为24小时,这样有利于控制生长。介质温度、光照强度、介质EC值同第二阶段,每周施肥1至2次,施肥浓度可增加到100ppm至150ppm,以氮肥为主。如果采用进口泥炭育苗,此阶段也不需要施肥。同时可用2500ppm的矮壮素比久(B-9)喷施。
第四阶段:根系已充分生长,形成根团,幼苗已有3至4片真叶,该阶段的湿度、光照、施肥及EC值均不需要改变,温度调节至16℃至18℃,如有必要,可再喷一次矮壮素比久(B-9),浓度为2500ppm。

分株繁殖
在春季茎叶生长前,将越冬的母株挖出,盆栽的将母株从花盆倒出,用刀在株丛的根颈部纵向切开,分成若干丛,每丛必须带芽和根系。

扦插繁殖
室内栽培全年都可进行扦插,露地栽培的在春、秋凉爽季节进行扦插。用芽作插穗,留顶端2片叶,如叶片大,可剪去1/2,以减少叶面水分蒸发。插入沙床里,控温20~25℃,保持较高的空气湿度,一般扦插后20~25天生根。如果用1000毫克/千克吲哚丁酸药液处理1~2秒钟,能加速生根。生根后移入直径8厘米的容器中栽培。
或直接插到沙床里,控温为20℃至25℃,保持较高的空气湿度,一般扦插后20至25天生根。如果用1000毫克/千克吲哚丁酸药液浸蘸1至2秒钟,能加速生根。生根后移入直径为8至12厘米的花盆中栽培即可。

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